7.2.5 国内砷化镓企业的现状
7.3 砷化镓外延片的加工
7.3.1 砷化镓外延片的工艺法
7.3.1 .1 气相外延
7.3.1 .2 液相外延
7.3.1 .3 分子束外延（MBE）
7.3.1 .4 MOCVD
7.3.2 LED使用中对砷化镓外延材料的性能要求
第八章 中智:林: 其他衬底材料
8.1 氧化锌
8.1.1 氧化锌晶体概述
8.1.2 氧化锌晶体应用及发展
8.2 氮化镓
8.2.1 氮化镓晶体概述
8.2.2 氮化镓晶体应用及发展
8.3 硼化锆
8.3.1 硼化锆晶体概述
8.3.2 硼化锆晶体应用及发展
8.4 金属合金
8.4.1 金属合金衬底概述
8.4.2 金属合金衬底应用及发展
8.5 其他晶体材料
8.5.1 镁铝尖晶石
8.5.2 LiAlO2和LiGaO2
图表目录
图1-1 LED主要产品构成图
图1-2 LED制造工序
图1-3 LED各产业环节
图1-4 LED上游产业环节
图1-5 LED中游芯片产业环节
图1-6 LED下游封装产业环节
The 2012 version of the light-emitting diode (LED) with a substrate material market research analysis
图1-7 下游LED应用产品环节
图1-8 我国LED区域企业数量产业分布
图2-1 2011年我国半导体照明产业各环节产业规模
图2-2 2006~2011年我国LED芯片市场销售情况
图2-3 我国LED封装市场规模及增长率变化
图2-4 我国2011年半导体照明应用领域分布
图2-6 2011年规划投资结构分布情况
图2-7 2011年规划投资资金来源情况
图2-8 2011年规划投资额区域分布情况
图3-1 LED 生产制程
图3-2 LED芯片基本结构
图3-3 蓝宝石作为衬底的LED芯片
图3-4 采用蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片
图4-1 蓝宝石CZ 拉晶法
图4-2 蓝宝石晶体KY 泡生长晶法
图4-3 蓝宝石衬底材料技术工艺路线
图4-4 蓝宝石衬底LED芯片成本构成
图4-5 全球LED衬底主要厂商区域分布图
图4-6 2010年蓝宝石晶棒全球市占率分布状况
图4-7 2011年蓝宝石晶棒全球市占率分布
图4-8 2010蓝宝石衬底片全球市占率分布
2012版發光二極管（LED）用襯底材料市場調查研究分析報告
图4-9 全球LED蓝宝石衬底需求预测
图4-10 蓝宝石衬底的消费市场占率分布
图4-11 国内主要蓝宝石晶棒厂商所在位置一览
图4-12 2009-2014年国内上游环节产能和全球市场总需求及预测
图4-13 柴氏拉晶法（Czochralski method）之原理示意图
图4-14 泡生法原理示意图
图5-1 全球SiC市场区域分布比例
图5-2 美国国防部2005年碳化硅/氮化镓HEMT的发展计划
图6-1 硅衬底材料产品简单生产过程
图6-2 Si衬底GnN基LED芯片结构图
图7-1 早期GaAs晶体生长方法
图7-2 GaAS晶片市场规模
图7-3 世界砷化镓市场发展
图7-4 日本砷化镓需求的发展
图7-5 国内砷化镓单晶生产线工艺方法所占比例
图7-6 国内GaAs产品内销与出口比重
图7-7 液相外延装置的示意图
图7-8 MBE装置的示意图
图7-9 分子束外延（MBE）设备
图7-10 MOCVD外延装置的示意图
图8-1 半导体化和物材料的禁带宽度和晶格常数的关系
2012 bǎn fāguāng èrjíguǎn (led) yòng chèn dǐ cáiliào shìchǎng tiáo chá yánjiū fēnxī bàogào
图8-2 ZrB2晶体结构示意图
图8-3 采用金属及蓝宝石两种衬底的GaN LED器件原理图
表1-1 我国主要LED厂商产业链分布
表1-2 我国LED四大分布区域及其主要特点
表2-1 2011年国内LED产量、芯片产量及芯片国产率
表2-2 2011年国内LED投资项目一览
表3-1 各类外延衬底基片材料主要物理性能对比
表3-2 各种衬底材料的综合性能比较
表4-1 蓝宝石单晶片基础物理参数
表4-2 蓝宝石产品类型
表4-3 2英寸蓝宝石单晶片规格
表4-4 蓝宝石衬底相关标准
表4-5 全球LED衬底材料主要生产企业
表4-6 2010年全球主要LED蓝宝石基板生产厂商2英寸基板的厚度
表4-7 蓝宝石晶棒除了应用于LED产业的用途
表4-9 2011-2012中国本土蓝宝石衬底企业15强
表4-10 国内蓝宝石企业近期项目投产计划
表4-11 国内研制蓝宝石长晶炉的主要企业
表4-12 蓝宝石单晶制备方法统计
表4-13 蓝宝石单晶主要生长技术方法的比较
表5-1 SiC衬底材料与硅及GaAs比较
基板材料の市場調査分析による発光ダイオード2012年版（LED ）
表5-2 功率器件（4H？n型）用SiC单晶的各厂商生产现况
表5-3 SiC体单晶的生长技术比较
表5-4 国际SiC产品的水平
表7-1 砷化镓基本性能参数
表7-2 GaAs晶体生长的各种方法的分类
表7-3 GaAs单晶各种生长工艺方法优缺点的比较
表7-4 全球砷化镓产业链构成
表7-5 国内主要砷化镓单晶生产厂家生产情况
表7-6 国内砷化镓单晶材料厂家的生产开发、生产情况
表7-7 砷化镓的外延片特性
表8-1 列出了纤锌矿GaN和闪锌矿GaN的特性比较
略……
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