半导体功率器件行业发展趋势 2008-2009年中国半导体功率器件市场研究年度报告

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2008-2009年中国半导体功率器件市场研究年度报告

报告编号:0251529  繁体中文  字号:   下载简版
  • 名 称:2008-2009年中国半导体功率器件市场研究年度报告
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2008-2009年中国半导体功率器件市场研究年度报告

内容介绍

  2008年,下游需求放缓给中国功率器件市场带来了一定的影响。随着传统分立器件产品进入低速增长期,国内企业纷纷转向附加值更高的功率器件。2008年四季度,吉林华威MOSFET生产线建成投产,国内企业由传统的以MOSFET代工为主逐步向自主品牌发展,但由于国内企业规模较小,从整体情况上看,其市场格局仍未发生太大改变,Fairchild、ST、Vishay等厂商仍占主流地位。而IGBT产品国内企业进入仍有难度,市场仍被国际大厂所掌控。 随着整机产品更加重视节能、高效,电源管理IC、MOSFET、IGBT仍是未来功率器件市场中的发展亮点。 面对竞争与市场的变化和挑战,《2008-2009年中国半导体功率器件市场研究年度报告》,将帮助业界厂商、投资者、产业链条更精确地把握中国功率器件市场发展脉动、更深入地梳理产业链环节变迁轨迹。 深入、翔实的市场研究数据。从整体市场规模、产品结构、应用结构、重点产品市场等多个角度刻画年度发展变化,洞察市场发展动向。 全面、深刻的品牌竞争分析。除了从细分市场格局、竞争策略、SWOT分析等多个维度总结企业表现,顾问并依托对半导体市场的深刻理解,评点市场成功要素。 科学、完整的未来发展预测。建立在各重点细分市场上的建模回归与专家校验,并与相关产业环节进行关联分析,确保给出有价值的趋势分析与定量预测结果。

  一、2008年全球功率器件市场概述

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  (一) 市场规模与增长

  (二) 基本特点

  (三) 主要国家与地区

  1、美国

  2、欧洲

Annual Report on China Semiconductor Power Devices Market Research 2008-2009

  3、日本

  二、2008年中国功率器件市场概述

  (一) 市场规模与增长

  (二) 基本特点

  (三) 市场结构分析

2008-2009年中國半導體功率器件市場研究年度報告

  1、产品结构

  2、应用结构

  三、2009-2011年中国功率器件市场发展预测

  (一) 2009-2011年中国功率器件市场规模预测

  (二) 2009-2011年中国功率器件市场结构预测

2008-2009 nián zhōng guó bàn dǎo tǐ gōng lǜ qì jiàn shì chǎng yán jiū nián dù bào gào

  1、产品结构

  2、应用结构

  四、2009-2011年中国功率器件市场趋势分析

  (一) 产品与技术

  (二) 价格

2008-2009年中国半導体パワー素子市場研究年間レポート

  (三) 渠道

  五、2008年中国功率器件市场细分产品研究

  (一) MOSFET

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2008-2009年中国半导体功率器件市场研究年度报告

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