《2020-2026年中国第三代半导体行业现状全面调研与发展趋势预测报告》通过第三代半导体项目研究团队多年对第三代半导体行业的监测调研，结合中国第三代半导体行业发展现状及前景趋势，依托国家权威数据资源和一手的调研资料数据，对第三代半导体行业现状及趋势进行全面的调研分析，采用定量与定性相结合的科学研究方法撰写而成。
《2020-2026年中国第三代半导体行业现状全面调研与发展趋势预测报告》可以帮助投资者准确把握第三代半导体行业的市场现状及发展趋势，为投资者进行投资作出第三代半导体行业前景预判，挖掘第三代半导体行业投资价值，同时提出第三代半导体行业投资策略、营销策略等方面的建议。
第一章 第三代半导体相关概述
1.1 第三代半导体基本介绍
1.1.1 基础概念界定
1.1.2 主要材料简介
1.1.3 历代材料性能
1.1.4 产业发展意义
1.2 第三代半导体产业发展历程分析
1.2.1 材料发展历程
1.2.2 产业演进全景
1.2.3 产业转移路径
1.3 第三代半导体产业链构成及特点
1.3.1 产业链结构简介
1.3.2 产业链图谱分析
1.3.3 产业链生态体系
1.3.4 产业链体系分工
1.3.5 产业链联盟建设
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第二章 2015-2019年全球第三代半导体产业发展分析
2.1 2015-2019年全球第三代半导体产业运行情况分析
2.1.1 国际产业格局
2.1.2 市场规模增长
2.1.3 市场结构分析
2.1.4 研发项目规划
2.1.5 应用领域格局
2.2 美国
2.2.1 研发支出规模及增长情况
2.2.2 产业技术优势
2.2.3 技术创新中心
2.2.4 技术研发动向
2.2.5 战略层面部署
2.3 日本
2.3.1 产业发展计划
2.3.2 研究成果丰硕
2.3.3 封装技术联盟
2.3.4 照明领域情况分析
2.3.5 研究领先进展
2.4 欧盟
2.4.1 研发项目历程
2.4.2 产业发展基础
2.4.3 前沿企业格局
2.4.4 未来发展热点
第三章 2015-2019年中国第三代半导体产业发展环境PEST分析
3.1 政策环境（Political）
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 材料领域专项规划
3.1.4 贸易关税摩擦影响
3.2 经济环境（Economic）
3.2.1 宏观经济概况
3.2.2 工业运行状况分析
3.2.3 经济转型升级
3.2.4 未来经济展望
3.3 社会环境（Social）
3.3.1 社会教育水平
2020--2026 Status Quo Chinese third-generation semiconductor industry comprehensive research and development trend forecast
3.3.2 人口规模与构成
3.3.3 产业结构演进
3.3.4 技术人才储备
3.4 技术环境（Technological）
3.4.1 专利技术构成
3.4.2 科技计划专项
3.4.3 国际技术成熟
3.4.4 产业技术联盟
第四章 2015-2019年中国第三代半导体产业发展分析
4.1 中国第三代半导体产业发展特点
4.1.1 企业以IDM模式为主
4.1.2 制备工艺不追求顶尖
4.1.3 衬底和外延是关键环节
4.1.4 各国政府高度重视发展
4.1.5 国际龙头企业加紧布局
4.1.6 军事用途导致技术禁运
4.2 2015-2019年中国第三代半导体产业发展运行综述
4.2.1 产业发展现状调研
4.2.2 产业整体产值
4.2.3 产业产线规模及增长情况
4.2.4 产业供需状态
4.2.5 产业成本趋势预测分析
4.2.6 产业应用前景展望
4.2.7 投资预测分析
4.3 2015-2019年中国第三代半导体市场发展状况分析
4.3.1 市场发展规模及增长情况
4.3.2 细分市场结构
4.3.3 企业竞争格局
4.3.4 重点企业介绍
4.3.5 产品发展动力
4.4 2015-2019年中国第三代半导体上游原材料市场发展分析
4.4.1 上游金属硅产能扩张
4.4.2 上游金属硅价格走势
4.4.3 上游氧化锌市场需求
4.4.4 上游材料产业链布局
2020-2026年中國第三代半導體行業現狀全面調研與發展趨勢預測報告
4.4.5 上游材料竞争状况分析
4.5 中国第三代半导体产业发展问题分析
4.5.1 产业发展问题
4.5.2 市场推进难题
4.5.3 技术发展挑战
4.5.4 城市竞争激烈
4.5.5 材料发展挑战
4.6 中国第三代半导体产业发展建议及对策
4.6.1 建设产业联盟
4.6.2 加强企业培育
4.6.3 集聚产业人才
4.6.4 推动应用示范
4.6.5 材料发展思路
第五章 2015-2019年第三代半导体氮化镓（GaN）材料及器件发展分析
5.1 GaN材料基本性质及制备工艺发展情况分析
5.1.1 GaN结构性能
5.1.2 GaN制备工艺
5.1.3 GaN材料类型
5.1.4 技术专利发展
5.1.5 技术发展趋势预测分析
5.2 GaN材料市场发展概况分析
5.2.1 市场发展规模及增长情况
5.2.2 材料价格走势
5.2.3 应用市场结构
5.2.4 应用市场预测分析
5.2.5 市场竞争格局
5.3 GaN器件及产品研发状况分析
5.3.1 器件产品类别
5.3.2 GaN晶体管
5.3.3 射频器件产品
5.3.4 射频模块产品
5.3.5 GaN光电器件
5.3.6 电力电子器件
5.4 GaN器件应用领域及发展状况分析
5.4.1 电子电力器件应用
5.4.2 高频功率器件应用
2020-2026 nián zhōngguó dì sān dài bàndǎotǐ hángyè xiànzhuàng quánmiàn tiáo yán yǔ fāzhǎn qūshì yùcè bàogào
5.4.3 器件应用发展情况分析
5.4.4 应用实现条件与对策
5.5 GaN器件发展面临的挑战
5.5.1 器件技术难题
5.5.2 电源技术瓶颈
5.5.3 风险控制建议
第六章 2015-2019年第三代半导体碳化硅（SiC）材料及器件发展分析
6.1 SiC材料基本性质与制备技术发展情况分析
6.1.1 SiC性能特点
6.1.2 SiC制备工艺
6.1.3 SiC产品类型
6.1.4 单晶技术专利
6.1.5 制备技术布局
6.2 SiC材料市场发展概况分析
6.2.1 材料价格走势
6.2.2 材料市场规模及增长情况
6.2.3 市场应用结构
6.2.4 市场竞争格局
6.2.5 企业研发布局
6.3 SiC器件及产品研发状况分析
6.3.1 器件产品现状调研
6.3.2 电力电子器件
6.3.3 功率模块产品
6.3.4 产品发展趋势预测分析
6.4 SiC器件应用领域及发展状况分析
6.4.1 应用整体技术路线
6.4.2 电网应用技术路线
6.4.3 电力牵引应用技术路线
6.4.4 电动汽车应用技术路线
6.4.5 家用电器和消费类电子应用
第七章 第三代半导体其他材料发展状况分析
7.1 Ⅲ族氮化物半导体材料发展分析
7.1.1 基础概念介绍
7.1.2 材料结构性能
7.1.3 材料制备工艺
7.1.4 主要器件产品
2020--2026現状中国の第三世代の半導体産業の包括的な研究開発動向予測
7.1.5 应用发展情况分析
7.1.6 发展建议对策
7.2 宽禁带氧化物半导体材料发展分析
7.2.1 基本概念介绍
7.2.2 材料结构性能
7.2.3 材料制备工艺
7.2.4 主要应用器件
7.3 氧化镓（Ga2O3）半导体材料发展分析
7.3.1 材料结构性能
7.3.2 材料制备工艺
7.3.3 主要技术发展
7.3.4 器件应用发展
7.3.5 投资预测分析
7.4 金刚石半导体材料发展分析
7.4.1 材料结构性能
7.4.2 衬底制备工艺
7.4.3 主要器件产品
7.4.4 应用发展情况分析
7.4.5 投资前景调研预测
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